什么是计算机体系结构中基于半导体的 ROM 存储器？
经典的掩模编程ROM芯片是连接电路，对要保存的信息进行物理编码，因此在制造后无法修改其内容。几种非易失性固态存储器的方法允许进行一定程度的修改-
可编程只读存储器(PROM)-它是一种一次性可编程ROM(OTP)，可以通过称为PROM编程器的独特设备写入或编程。该设备使用高电压来永久损坏或在芯片内部产生内部连接（熔断器或反熔断器）。
ErasableProgrammableread-onlymemory(EPROM)-它可以被强紫外线（通常为10分钟或更长时间）的危险擦除，然后用再次需要应用高于典型电压的过程重写。反复暴露在紫外线下最终会磨损EPROM，但大多数EPROM芯片的强度超过了数千次擦除和重新编程的循环。
EPROM芯片封装可以通过突出的石英“窗口”来识别，该窗口可以让紫外线进入。编程后，窗口一般用标签包裹起来，以免误删。各种EPROM芯片都是出厂擦除的，因为它们是封装的，没有窗口，这些都是有效的PROM。
电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)-它与EPROM位于相同的半导体结构上，但可以电擦除其全部内容，从而以电方式重写，因此它们不需要从计算机（或相机）中删除、MP3播放器等）
电可变只读存储器(EAROM)-它是一种可以一次更改一位的EEPROM。写入是一个非常简单的过程，需要用于读取方法的更高电压（通常约为12V）。
EAROM专为需要偶尔且仅不完全重写的应用程序而设计。EAROM可作为非易失性存储器用于要求苛刻的系统设置数据，在某些应用中，EAROM已被中央电源提供并以锂电池作为后备的CMOSRAM取代。
Flashmemory-1984年设计的一种电流型EEPROM。Flash存储器可以比普通EEPROM更快地擦除和重写，并且最近的设计特性具有非常高的强度（超过1,00,000个周期）。
最近的NAND闪存有效利用了硅芯片空间，导致单片IC的大小在2007年高达32GB，这一特性以强度和物理持久性向前发展，使NAND闪存能够在包括USB闪存驱动器在内的各种应用中恢复磁性。
闪存在用作早期ROM类型的恢复时被称为闪存ROM或闪存EEPROM，但在利用其快速重复更改能力的应用程序中则不然。
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